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Sequid TDR阻抗測(cè)試方案(二)时间:2017-03-27 【转载】 阅读 圖4顯示了4層印刷測(cè)試電路上的差分傳輸線的阻抗曲線。傳輸路徑一開始是*層(頂層)中的微帶線,然后通過一個(gè)過孔轉(zhuǎn)到第二層,此時(shí)仍然是微帶線,再通過第二個(gè)過孔回到*層表面。這個(gè)路線經(jīng)過幾次反復(fù),最終在*層終止。顯然這個(gè)測(cè)試電路不能達(dá)到100Ω的目標(biāo)阻抗:微帶線和帶狀線的特征阻抗分別是Z0≈120Ω和Z0≈110Ω。從這張圖中可以明顯看出,過孔的電容因素會(huì)嚴(yán)重影響實(shí)際系統(tǒng)中的信號(hào)完整性,尤其是在高數(shù)據(jù)速率時(shí)更甚。 圖4:在FR4基板的兩個(gè)不同層上布線的差分線反射圖 圖5:帶開放電路(3)和兩個(gè)不同USB 3.0電纜組件(4和5)的USB 3.0適配器的反射圖 圖6:用于時(shí)域反射計(jì)DTDR-65的不同探針和附件 |