閃存(Flash Memory)目前分為NOR和NAND兩種，NOR、NAND Flash結(jié)構(gòu)由東芝(Toshiba)于1988 和1989年發(fā)表。NOR Flash 具有XIP (eXecute In Place)的特點(diǎn)，這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash內(nèi)運(yùn)行，不必再把原始碼讀到系統(tǒng)RAM中，也因此部份NOR Flash被當(dāng)作ROM使用。NOR Flash傳輸效率很高，在1~4MB的小容量具有很高的成本效益，但是很低的寫入和抹除速度大大影響它的性能。而NAND Flash能提供較高的單元密度，可以達(dá)到高儲存密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND Flash的困難在于需要特殊的系統(tǒng)管理方法，所以需要1個(gè)控制芯片(NAND Flash Controller)。一般而言NOR Flash僅用來儲存少量的代碼，而NAND Flash則用做大量數(shù)據(jù)儲存用途。目前市場上主要的NAND Flash制造商為三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、SK海力士(Hynix)、美光(Micron)和閃迪(SanDisk)等。

NAND Flash需求主要集中在智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、云端儲存大型數(shù)據(jù)庫用的固態(tài)硬盤(SSD)以及應(yīng)用在消費(fèi)端如記憶卡(Secure Card)、U盤(USB Disk)等。

雖然NAND Flash如此蓬勃的發(fā)展，但市面上針對NAND Flash總線的除錯(cuò)工具真可謂少之又少，Acute TL2236B+ PC-Based邏輯分析儀提供NAND Flash總線觸發(fā)與譯碼。NAND Flash總線譯碼可以幫助工程師解讀訊號而觸發(fā)功能則可以快速定位到NAND Flash Command/Address/Data，甚至是busy time error的位置。

NAND Flash總線譯碼:

NAND Flash總線譯碼支持Samsung/Toshiba/Hynix/Micron/Intel/ST/Spansion/

Winbond/Macronix/ONFI等廠家。

其中”儲存NAND Flash Data”功能可將NAND Flash總線解出來的數(shù)據(jù)，屬于Data的部份另外存成.Bin檔案，因?yàn)镹AND Flash是一種會發(fā)生壞塊(Bad Block)的儲存架構(gòu)，所以需要制定一套壞塊管理方法。而工程師可以利用這些檔案來檢視其壞塊管理法是否適當(dāng)�！癛educed Report”功能可讓報(bào)告窗口僅顯示NAND Flash Command，這樣就可以僅檢視NAND Flash Command而不會被大量NAND Flash Data占據(jù)整個(gè)報(bào)告窗口。

NAND Flash總線觸發(fā):

NAND Flash總線觸發(fā)除了可以快速定位NAND Flash command/address/data以及busy time error的位置之外，還可以利用NAND Flash總線觸發(fā)提供的Clause Trigger架構(gòu)以及搭配Timer/Counter來做不同的觸發(fā)組合。

出現(xiàn)10次NAND Flash erase時(shí)觸發(fā):